企业简介
深圳市国微电子有限公司 main business:设计、开发、销售各类集成电路、电子信息产品，及相关技术服务；经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；生产微处理器、存储器、可编程逻辑器件、温控模块。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 广东深圳市广东省深圳市福田区滨河大道车公庙天安工业区天祥大厦6d.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
深圳市国微电子有限公司的工商信息
- 440301103168494
- 91440300671879941D
- 存续
- 有限责任公司（法人独资）
- 2008-01-31
- 祝昌华
- 15000万元
- 2008-01-31 至 永久
- 深圳市市场监督管理局
- 深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼六层A
- 设计、开发、销售各类集成电路、电子信息产品，及相关技术服务；经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；生产微处理器、存储器、可编程逻辑器件、温控模块。
分支机构
深圳市国微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105977253A | 多触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法 | 2016.09.28 | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种多触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该器件包括 |
| 2 | CN103761991B | 一种用于可编程芯片的查找表及查找表电路 | 2017.02.22 | 本发明适用集成电路领域，提供一种用于可编程芯片的查找表，该查找表由一次性反熔丝配置存储器单元连接译码 |
| 3 | CN103730163B | 一种可编程存储系统 | 2017.02.15 | 本发明公开一种可编程存储系统，包括可编程存储单元、位线控制单元和字线控制单元，可编程存储单元包括并联 |
| 4 | CN103903648B | 一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路 | 2017.02.08 | 本发明属于信息安全领域，提供了一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路。在本发明中，通过所述 |
| 5 | CN103138735B | 积分速率可变的单位增益正反馈积分器及时钟恢复电路 | 2017.02.01 | 本发明提供一种积分速率可变的单位增益正反馈积分器及时钟恢复电路，积分器包括电荷注入电路和自举电路，电 |
| 6 | CN103714849B | 一种用于可编程芯片的可编程存储单元 | 2017.01.25 | 本发明提供一种用于可编程芯片的可编程存储单元，该电路包括第一反熔丝模块、第二反熔丝模块、第一开关模块 |
| 7 | CN103730164B | 一种可编程存储单元 | 2017.01.04 | 本发明公开一种可编程存储单元，包括并联在电源接入端与公共输出端之间的第一开关模块、第一反熔丝模块，以 |
| 8 | CN205792191U | 一种高性能电源模组 | 2016.12.07 | 本实用新型适用于电源领域，提供了一种高性能电源模组，其外部反馈引脚通过下拉反馈电阻接地，内部包括：基 |
| 9 | CN106096263A | 一种多维线性插值方法和装置 | 2016.11.09 | 本发明公开了示一种多维线性插值方法和装置，包括：A、获取基本点信息并建立基本点网格；B、获取基本点在 |
| 10 | CN104679088B | 一种低压差线性稳压器及其频率补偿电路 | 2016.10.19 | 本发明属于低压差线性稳压器领域，提供了一种低压差线性稳压器及其频率补偿电路。其中，低压差线性稳压器包 |
| 11 | CN106020317A | 一种低压差线性稳压器的过流保护电路 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种低压差线性稳压器的过流保护电路，与低压差线性稳压器相连接并对其进行过流保护，所述的低 |
| 12 | CN105957833A | 低触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法 | 2016.09.21 | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种低触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该器件包括 |
| 13 | CN103780249B | 一种基于可编程单元配置的可编程互连线网络 | 2016.09.14 | 本发明适用集成电路领域，提供基于可编程单元配置的可编程互连线网络，包括多种不同类型的互连线、开关盒、 |
| 14 | CN103500243B | 一种自适应PVT变化的时钟电路设计方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种自适应PVT变化的时钟电路设计方法。本发明的时钟电路设计方法包括：在集成电路完成布局 |
| 15 | CN103208301B | 一种抗辐照存储器跟随剂量适应性调节装置 | 2016.08.03 | 本发明适用于抗辐照存储器，提供了一种抗辐照存储器跟随剂量适应性调节装置，包括基准电压调整电路，与灵敏 |
| 16 | CN105680849A | 一种查找表、查找表电路及可编程器件 | 2016.06.15 | 本发明提供了一种查找表、查找表电路及可编程器件，该查找表包括a个基本查找表单元以及1个配置单元，基本 |
| 17 | CN105550541A | 可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置 | 2016.05.04 | 本发明公开的可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置，可编程器件的配置方法包括：导入编程数据 |
| 18 | CN105488259A | 一种抗辐照电路的加固方法 | 2016.04.13 | 本发明涉及集成电路技术领域，本发明提供一种抗辐照电路的加固方法，包括以下步骤：获取顶层时钟线，创建与 |
| 19 | CN103236840B | 一种辐照加固的锁相环 | 2016.01.13 | 本发明适用于电子与通信技术领域，提供了一种辐照加固的锁相环，包括辐照探测电路、逻辑控制电路、基准电路 |
| 20 | CN102891689B | 一种错误位置多项式求解方法及装置 | 2015.12.09 | 本申请公开了一种错误位置多项式求解方法及装置，该方法包括：在每轮迭代的第一周期中输入奇数项伴随式的系 |
| 21 | CN102956261B | 一种用于FPGA的可编程存储单元电路 | 2015.09.16 | 本发明公开一种用于FPGA的可编程存储单元电路，该存储单元电路包括存储位置、电源、地；所述存储位置与 |
| 22 | CN103138570B | 一种锁相环及其电荷泵 | 2015.08.05 | 本发明属于电子电路设计领域，提供了一种锁相环及其电荷泵。其中的电荷泵包括：积分器，用于输出第一差分信 |
| 23 | CN104734694A | 一种时钟相位校正电路 | 2015.06.24 | 本发明属于时钟校正技术领域，提供了一种时钟相位校正电路。该电路是由译码电路对目标相位的数字表达信号进 |
| 24 | CN104734838A | 一种同步数据的方法、系统及交换矩阵 | 2015.06.24 | 本发明属于通信技术，提供了一种同步数据的方法、系统及交换矩阵，所述方法包括：在第一端口发送数据包至第 |
| 25 | CN104731993A | 一种半导体电路抗单粒子翻转的全加固方法及系统 | 2015.06.24 | 本发明适用于半导体领域，提供了一种半导体电路抗单粒子翻转的全加固方法及系统，该方法包括：将半导体电路 |
| 26 | CN104734873A | 一种交换系统及其交换设备中缓冲器的管理方法、系统 | 2015.06.24 | 本发明属于通信技术领域，提供了一种交换系统及其交换设备中缓冲器的管理方法、系统。该方法及系统通过对目 |
| 27 | CN104734722A | 数据压缩方法及数据解压缩装置 | 2015.06.24 | 本发明适用于数据压缩领域，提供了一种数据压缩方法及数据解压缩装置。所述方法包括：接收待压缩数据；将接 |
| 28 | CN104731666A | 一种抗单粒子翻转的自纠错集成电路及其纠错方法 | 2015.06.24 | 本发明属于单粒子翻转容错技术领域，提供了一种抗单粒子翻转的自纠错集成电路及其纠错方法。该自纠错集成电 |
| 29 | CN104731995A | 一种基于半导体电路的抗单粒子效应验证方法及系统 | 2015.06.24 | 本发明适用于半导体领域，提供了一种基于半导体电路的抗单粒子效应验证方法及系统，包括：根据工艺条件建立 |
| 30 | CN104734657A | 一种芯片及其端口阻抗匹配校正电路 | 2015.06.24 | 本发明属于芯片端口阻抗匹配技术领域，提供了一种芯片及其端口阻抗匹配校正电路。本发明在芯片通过数字逻辑 |
| 31 | CN104733048A | 一种提高大容量反熔丝存储器成品率的方法 | 2015.06.24 | 本发明提供了一种提高大容量反熔丝存储器成品率的方法，包括根据反熔丝存储器的结构确定反熔丝存储器编程和 |
| 32 | CN104716133A | 一种基于SCR结构耐正负高压的端口ESD结构及其等效电路 | 2015.06.17 | 本发明公开了一种基于SCR结构耐正负高压的端口ESD结构及其等效电路，其中端口ESD结构包括P型衬底 |
| 33 | CN104714898A | 一种Cache的分配方法和装置 | 2015.06.17 | 本发明适用于调整缓存领域，提供了一种Cache的分配方法和装置，该方法包括：获取所述Cache缺失率 |
| 34 | CN104714780A | 一种超标量流水线保留站处理指令的方法及装置 | 2015.06.17 | 本发明适用于微处理器技术领域，提供了一种超标量流水线保留站处理指令的方法及装置，包括：确定相关性指令 |
| 35 | CN104716134A | 一种基于HVNMOS耐正负高压的端口ESD结构及其等效电路 | 2015.06.17 | 本发明公开了一种基于HVNMOS耐正负高压的端口ESD结构及其等效电路，端口ESD结构包括第一NBL |
| 36 | CN104716938A | 一种栅跟随输入输出电路 | 2015.06.17 | 本发明适用于集成电路领域，提供了一种栅跟随输入输出电路；其中，所述栅跟随输入输出电路具有输入输出端， |
| 37 | CN104683198A | 一种航空总线组件的信号优化系统及其优化方法 | 2015.06.03 | 本发明属于航空总线技术领域，提供了一种航空总线组件的信号优化系统及其优化方法。该系统是在航空总线组件 |
| 38 | CN104679693A | 一种1553B总线协议IP核的多接口模式实现方法 | 2015.06.03 | 本发明属于1553B总线协议的IP核设计领域，提供了一种1553B总线协议IP核的多接口模式实现方法 |
| 39 | CN104679088A | 一种低压差线性稳压器及其频率补偿电路 | 2015.06.03 | 本发明属于低压差线性稳压器领域，提供了一种低压差线性稳压器及其频率补偿电路。其中，低压差线性稳压器包 |
| 40 | CN104679440A | 一种闪存阵列管理方法及装置 | 2015.06.03 | 本发明适用于计算机数据存储技术领域，提供了一种闪存阵列管理方法及装置，所述方法包括：将闪存阵列划分为 |
| 41 | CN104658611A | 一种对固态硬盘进行异常掉电测试的方法及系统 | 2015.05.27 | 本发明适用于针对固态硬盘的掉电测试领域，提供了一种对固态硬盘进行异常掉电测试的方法及系统；上位机向在 |
| 42 | CN104637531A | SRAM存储模块及其灵敏放大器电路 | 2015.05.20 | 本发明属于电子领域，尤其涉及一种SRAM存储模块及其灵敏放大器电路。本发明提供的SRAM存储模块及其 |
| 43 | CN104597823A | 航空总线系统及其保护电路 | 2015.05.06 | 本发明属于集成电路领域，尤其涉及一种航空总线系统及其保护电路。本发明提供的航空总线系统保护电路，设于 |
| 44 | CN104572573A | 数据存储方法、存储模块和可编程逻辑器件 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种数据存储方法、存储模块和可编程逻辑器件。本发明的数据存储方法，应用于可编程逻辑器件， |
| 45 | CN104572563A | 基于IEEE 1394接口的物理层电路 | 2015.04.29 | 本发明适用于IEEE 1394接口领域，提供了一种基于IEEE 1394接口的物理层电路；所述物理层 |
| 46 | CN104576641A | 一种中触发耐负压的SCR器件、工艺方法及应用电路 | 2015.04.29 | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种中触发耐负压的SCR器件、工艺方法及ESD应用电路，该结构包括 |
| 47 | CN104579320A | 时钟延迟方法、装置、延迟锁相环及数字时钟管理单元 | 2015.04.29 | 本发明公开时钟延迟方法、装置、延迟锁相环及数字时钟管理单元，时钟延迟方法包括：步骤一、通过延迟线将输 |
| 48 | CN104573187A | 基于单粒子效应的仿真方法和仿真装置 | 2015.04.29 | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种基于单粒子效应的验证方法和仿真装置；所述基于单粒子效应的仿真方 |
| 49 | CN104539286A | 基频时钟产生电路 | 2015.04.22 | 一种应用于时钟和高速接口系统中的基频时钟产生电路，接收控制逻辑产生的使能信号，包括电源单元、时钟单元 |
| 50 | CN104536755A | 可编程逻辑器件重构方法及装置 | 2015.04.22 | 本发明了一种可编程逻辑器件重构方法及装置，该方法包括：确定可编程逻辑器件的待重构资源区；将待重构资源 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 深圳市国微电子有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 深圳市国微电子有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
